技术内部实质意义及技术关键离子束匡助镀膜的原理见图1。大功率电镀高频开关电源在真空室中将离子源萌生的离子引出，并在电场中加速，形成几十电子伏到几十千电子伏能+羭縷的离子束。在离子束溅射淤积、离子束直接淤积或电子束蒸发淤积薄膜的同时，用上面所说的离子束施行轰击（也可先镀膜后轰击）。利用淤积原子和轰击离子之间一系列的物理化学效用，可在常温下合成各种优质薄膜。其关键技术是离子源、靶室和工艺参变量的扼制。

    离子源是萌生所需离子的关键器件，它的品类与品质表决着老化电源制备膜层的性能和品质。离子源的品类不下于二、三十种，用于离子束材料外表改性的也有十多种。到现在为止在这方面用得较多或较好的有：①考夫曼（Kaufman）源，它能萌生命力体元素的大平面或物体表面的大小离子束，适应用于离子束溅射镀膜、对膜层施行离子束轰击以及对作件施行离子束外表清洗。②金属蒸气真空电弧放电（MEVVA）离子源，这是近十年来进展起来的新式离子源。它能萌生强流金属离子大平面或物体表面的大小束，适应用于离子束直接镀膜以及金属离子灌注。③弗里曼（Freeman）源和伯纳斯（Bernas）源，他们能萌生命力体和固体元素的离子束，具备窄而长形离子发射缝，适合使用于带粒子剖析器的离子灌注机及离子束镀膜设施。④微波离子源，该种离子源没有发射电子的灯丝，它有赖微波能+羭縷萌生离子，因为这个生存的年限长，能蝉联办公100h以上，它既能萌生大平面或物体表面的大小终了，又能萌生仄长条束；既能萌生命力体离子，又能萌生固体离子，是一种很有进展前景的离子源。

    图1离子束匡助镀膜装置）离子束溅射淤积b）离子束直接淤积c）电子束淤积靶室是装载作件，施行离子束外表处置的器件，它的容量体积、靶的作件夹具机构及其运动形式，随作件品类的不一样，差别非常大。到现在为止天底下最大的靶室在英国哈威尔（Harwell）研讨核心。其直径和深度均为2.5m，可装载1.5t的大型零件。因为离子束对作件是直射灌注，因为这个为了使非最简单的面零件能平均灌注，零件的夹具务必转动。大零件的夹具还需作X、Y二维移动。为了对零件的孔或斜面施行灌注，应认为合适而使用斜靶。假如零件呈球状，机构的运动形式将更为复杂。一般靶的运动形式可参看图2。

    非常准确扼制工艺参变量，保障作件外表的淤积原子数与轰击原子数达到一定的比例，对膜层的性能和品质至关关紧。其技术关键是要非常准确扼制离子束的能+羭縷和束流的牢稳性。而束流体积与离子源的放电功率及供胸襟相关。一般是用品质流量计扼制供胸襟，并经过扼制原子源的电源，牢稳放电功率，尤其奠定放电电流。只有这么，能力取得高品质的膜层。

    技术特别的性质及运用范围因为IAC技术加强膜层与基体的接合力，不是有赖增长基体的温度，而是有赖离子轰击膜层的能+羭縷，因为这个它能在基体靠近室温的条件下，取得细致精密的、接合力很强的、应力极小的高品质膜层。也就是说，IAC技术兼有离子灌注和普通镀膜技术（CVD和PVD）的长处，克服了二者的欠缺。他们的优欠缺比较可见表1。

    技术因为具备以上的独特的地方，要得它可在温度不准许颀长的基体上，制备出接合力很强的具备各种特别的膜层，如ZrN、ZrC、BN、TiO2和类金刚石碳膜等。海外已有人将它用于内燃机半自动加工用的磨削刃具、飞机燃烧材料系统的零件和燃燃气轮机叶片上。国内亦有单位正在将它用于增长汽机叶片抗水的侵蚀的性能。到现在为止这一新技术的工业应用正在研发当中，予期会有美好的应用前面的景物。