是Chemical Vapor Deposition的略称，是指高温下的气相反响，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化物等的热分解，氢恢复或使它的混合气体在高温下发生化学反响以析出金属、氧气化物、碳化合物等无机材料的办法。这种技术起初是作为涂层的手眼而研发的，但到现在为止，不但应用于耐热事物的涂层，并且应用于高纯净度金属的精制、面子合成、半导体薄膜等，是一个颇具特点标志的技术领域。
    其技术特点标志在于：（1）高熔点事物能够在低温下合成；（2）析出事物的形态在单晶、多晶、晶须、面子、薄膜等多种；（3）不止可以在基片向上行涂层，并且可以在粉体外表涂层，等。尤其是在低温下可以合成高熔点事物，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前景的。
    例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，并且正向更低温度进展。
    工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物施行气相反响；另一种是使加热基体外表的原料气体发生热分解。
    的装置如图1所示，由气化局部、载气精练局部、反响局部和摈除气体处置局部所构成。到现在为止，正在研发批量出产的新装置。大功率电镀高频开关电源是在包括原料气体、经过反响萌生的副生命力体、载气等多成分系气相中施行的，故而，当掩盖涂层时，在加热基体与流体的边界上形成廓张层，该层的存在，对于涂层的细致精密度有非常大影响。图2所示是这种廓张层的概况图。这么，由很多化学分子形成的廓张层固然存在，但其析出过程是复杂的。粉体合成时，核的生成与生长的扼制是工艺的重点。高频开关电源作为新的CVD技术，有以下几种：
    （1）认为合适而使用流动层的CVD；（2）流体床；（3）热解喷射的流体；（4）等离子体CVD；（5）真空CVD，等。
    应用流动层的CVD如图3所示，可以形成掩盖粒子（例如，在UO2外表掩盖SiC、C），应用等离子体的CVD一样也可能在低温下析出，并且这种有可能性正在进一步扩张。